ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > DTC143XUAT106
Datasheet下载- 型号： DTC143XUAT106
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC143XUAT106由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC143XUAT106价格参考￥0.46-￥0.76。ROHM SemiconductorDTC143XUAT106封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载DTC143XUAT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTC143XUAT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的DTC143XUAT106是一款预偏置的单个双极晶体管（BJT）。这种类型的晶体管广泛应用于需要高效、稳定电流控制和开关操作的电路中。以下是一些典型的应用场景： 1. 电源管理 DTC143XUAT106可以用于各种电源管理电路，如线性稳压器和开关电源中的驱动级。它能够有效地控制电流流动，确保输出电压的稳定性。预偏置特性使得该晶体管在启动时能够快速进入工作状态，减少启动时间和功耗。 2. 音频放大器 在音频设备中，DTC143XUAT106可以用作前置放大器或功率放大器的驱动级。其高增益和低噪声特性有助于提高音频信号的质量，确保声音清晰、无失真。预偏置设计还可以减少热噪声，进一步提升音质表现。 3. 电机驱动 对于小型电机驱动应用，如步进电机、直流电机等，DTC143XUAT106可以作为驱动级来控制电机的启动、停止和速度调节。其高效的电流控制能力可以确保电机平稳运行，同时降低能耗。 4. 传感器接口 在传感器接口电路中，DTC143XUAT106可以用于信号调理和放大。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，它可以将微弱的传感器信号放大到适合后续处理的水平。预偏置特性有助于提高信号的响应速度和准确性。 5. 通信设备 在通信设备中，DTC143XUAT106可以用于射频（RF）前端电路中的低噪声放大器（LNA）。它的高增益和低噪声特性使其非常适合处理微弱的射频信号，确保信号的完整性和传输质量。 6. 工业自动化 在工业自动化系统中，DTC143XUAT106可以用于控制各种执行器和传感器。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中，它可以作为输出级来驱动继电器、指示灯等负载。预偏置设计有助于提高系统的响应速度和可靠性。 总之，DTC143XUAT106凭借其预偏置特性和稳定的性能，适用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效电流控制和低噪声放大的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA SOT-323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC143XUAT106- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTC143XUAT106 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | DTC143XUAT106CT |
| 典型电阻器比率 | 0.47 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Single |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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