ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > DTC143EM3T5G
Datasheet下载- 型号： DTC143EM3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC143EM3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC143EM3T5G价格参考。ON SemiconductorDTC143EM3T5G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 260mW Surface Mount SOT-723。您可以下载DTC143EM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTC143EM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的DTC143EM3T5G是一款预偏置的单个双极晶体管（BJT），适用于多种电子电路设计。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 DTC143EM3T5G常用于电源管理电路中，如线性稳压器、开关电源和电池充电电路。它能够有效地控制电流的流动，确保电源系统的稳定性和效率。由于其预偏置特性，可以简化电路设计，减少外部元件的数量，从而降低成本并提高可靠性。 2. 信号放大 在音频设备、传感器接口和其他需要信号放大的应用中，DTC143EM3T5G可以作为放大级使用。它的高增益特性和低噪声性能使其非常适合处理微弱信号，确保输出信号的清晰度和准确性。预偏置功能使得晶体管能够在最佳工作点上运行，进一步提升了放大效果。 3. 开关应用 该晶体管也可用作开关元件，广泛应用于继电器驱动、LED驱动和电机控制等领域。通过调整基极电流，可以精确控制集电极和发射极之间的导通状态，实现高效的开关操作。预偏置设计有助于提高开关速度，减少开关损耗，延长使用寿命。 4. 保护电路 在过流保护、过热保护等安全电路中，DTC143EM3T5G可以作为关键组件。当检测到异常情况时，它可以迅速切断电流路径，防止设备损坏。预偏置特性使得晶体管能够在特定条件下快速响应，提供更可靠的保护功能。 5. 通信设备 在无线通信、有线通信等系统中，DTC143EM3T5G可用于射频（RF）信号处理、调制解调电路等。其高频特性和良好的线性度使其适合处理高速数据传输中的复杂信号，确保通信质量。 总之，DTC143EM3T5G凭借其预偏置设计和出色的电气性能，在多个领域展现了广泛的应用前景。无论是电源管理、信号放大还是开关控制，它都能为设计师提供可靠且高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTC143EM3T5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTC143EM3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 其它名称 | DTC143EM3T5GOSCT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 功率耗散 | 260 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SOT-723-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 15, 30 |
| 系列 | DTC143EM3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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