ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > DTC124XET1G
Datasheet下载- 型号： DTC124XET1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC124XET1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC124XET1G价格参考。ON SemiconductorDTC124XET1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416。您可以下载DTC124XET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTC124XET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTC124XET1G 是 ON Semiconductor 生产的预偏置双极晶体管 (BJT)，适用于多种电子设备和应用。这类晶体管因其高可靠性、低噪声和快速开关特性，在工业控制、消费电子、通信设备等领域中广泛应用。 应用场景 1. 电源管理： - DTC124XET1G 可用于线性稳压器和开关模式电源（SMPS）中的驱动电路，帮助实现高效的电压调节和电流控制。其预偏置设计使得它在启动和关断过程中更加稳定，减少了瞬态响应时间。 2. 音频放大器： - 在音频设备中，如耳机放大器、扬声器驱动器等，该晶体管可以作为功率放大级的一部分，提供高质量的音频信号放大。预偏置功能有助于减少交越失真，提高音质。 3. 电机驱动： - 对于小型直流电机或步进电机的驱动电路，DTC124XET1G 可以有效地控制电机的速度和方向。其快速开关特性和低饱和电压使其适合用于需要精确控制的应用场合。 4. 传感器接口： - 在传感器信号调理电路中，该晶体管可以用作信号放大器或缓冲器，将微弱的传感器输出信号放大到合适的电平，以便后续处理。预偏置特性确保了信号的线性传输，提高了测量精度。 5. 通信设备： - 在射频（RF）前端模块中，DTC124XET1G 可以用作低噪声放大器（LNA），增强接收信号强度。此外，它还可以用于调制解调器中的开关电路，实现高速数据传输。 6. 保护电路： - 该晶体管可用于过流保护、短路保护等电路中，通过快速响应异常情况来保护其他敏感元件免受损害。预偏置设计有助于提高保护电路的响应速度和可靠性。 总之，DTC124XET1G 凭借其优异的电气性能和预偏置特性，在各种需要高性能、高可靠性的应用场景中表现出色，是许多电子系统中的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTC124XET1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTC124XET1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-75，SOT-416 |
| 典型电阻器比率 | 0.47 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | DTC124XE |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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