ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 > DTC123JETL
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC123JETL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC123JETL价格参考¥0.37-¥0.38。ROHM SemiconductorDTC123JETL封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3。您可以下载DTC123JETL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC123JETL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的DTC123JETL是一款预偏置的双极晶体管(BJT),属于单个晶体管类别。这种晶体管在多种应用场景中表现出色,尤其是在需要高精度电流控制和低噪声性能的电路中。 应用场景 1. 音频放大器: DTC123JETL广泛应用于音频设备中的前置放大器和功率放大器。其预偏置特性有助于确保稳定的直流工作点,减少失真,提供高质量的音频输出。它能够处理较小的信号并将其放大到适合驱动扬声器的水平,同时保持较低的噪声水平。 2. 模拟信号处理: 在模拟信号处理电路中,如滤波器、调制解调器等,DTC123JETL可以用于构建高性能的线性放大器。其良好的线性度和低噪声特性使其非常适合处理微弱的模拟信号,确保信号的完整性。 3. 电源管理: 该晶体管可用于电源管理电路中的开关或调节功能。例如,在线性稳压器中,DTC123JETL可以用作调整管,通过控制输出电压来维持负载端的稳定供电。其预偏置特性有助于简化设计并提高效率。 4. 传感器接口: 在传感器接口电路中,DTC123JETL可以作为信号调理元件。它可以将传感器产生的微弱信号放大,并转换为适合后续处理的电平。常见的应用包括温度传感器、压力传感器和光电传感器等。 5. 通信设备: 在通信设备中,DTC123JETL可用于射频(RF)前端模块中的低噪声放大器(LNA)。它能够在不显著增加噪声的情况下放大接收到的微弱信号,从而提高接收灵敏度和通信质量。 6. 工业自动化: 在工业控制系统中,DTC123JETL可以用于驱动继电器、电机或其他执行机构。它的高可靠性和稳定性使其能够在恶劣的工业环境中长时间运行,确保系统的正常运作。 7. 医疗设备: 在医疗设备中,如心电图机、超声波设备等,DTC123JETL可以用于信号采集和放大部分。其低噪声和高精度特性对于保证诊断结果的准确性至关重要。 总之,DTC123JETL凭借其预偏置特性和优异的电气性能,在众多电子设备和系统中发挥着重要作用,尤其适用于需要高精度和低噪声的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA SOT-416 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC123JETL- |
数据手册 | |
产品型号 | DTC123JETL |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | EMT3 |
其它名称 | DTC123JETLCT |
典型电阻器比率 | 0.047 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | EM-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
配置 | Single |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |