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  • 型号: DTC123JETL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC123JETL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC123JETL价格参考¥0.37-¥0.38。ROHM SemiconductorDTC123JETL封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3。您可以下载DTC123JETL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC123JETL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的DTC123JETL是一款预偏置的双极晶体管(BJT),属于单个晶体管类别。这种晶体管在多种应用场景中表现出色,尤其是在需要高精度电流控制和低噪声性能的电路中。

 应用场景

1. 音频放大器:
   DTC123JETL广泛应用于音频设备中的前置放大器和功率放大器。其预偏置特性有助于确保稳定的直流工作点,减少失真,提供高质量的音频输出。它能够处理较小的信号并将其放大到适合驱动扬声器的水平,同时保持较低的噪声水平。

2. 模拟信号处理:
   在模拟信号处理电路中,如滤波器、调制解调器等,DTC123JETL可以用于构建高性能的线性放大器。其良好的线性度和低噪声特性使其非常适合处理微弱的模拟信号,确保信号的完整性。

3. 电源管理:
   该晶体管可用于电源管理电路中的开关或调节功能。例如,在线性稳压器中,DTC123JETL可以用作调整管,通过控制输出电压来维持负载端的稳定供电。其预偏置特性有助于简化设计并提高效率。

4. 传感器接口:
   在传感器接口电路中,DTC123JETL可以作为信号调理元件。它可以将传感器产生的微弱信号放大,并转换为适合后续处理的电平。常见的应用包括温度传感器、压力传感器和光电传感器等。

5. 通信设备:
   在通信设备中,DTC123JETL可用于射频(RF)前端模块中的低噪声放大器(LNA)。它能够在不显著增加噪声的情况下放大接收到的微弱信号,从而提高接收灵敏度和通信质量。

6. 工业自动化:
   在工业控制系统中,DTC123JETL可以用于驱动继电器、电机或其他执行机构。它的高可靠性和稳定性使其能够在恶劣的工业环境中长时间运行,确保系统的正常运作。

7. 医疗设备:
   在医疗设备中,如心电图机、超声波设备等,DTC123JETL可以用于信号采集和放大部分。其低噪声和高精度特性对于保证诊断结果的准确性至关重要。

总之,DTC123JETL凭借其预偏置特性和优异的电气性能,在众多电子设备和系统中发挥着重要作用,尤其适用于需要高精度和低噪声的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA SOT-416

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC123JETL-

数据手册

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产品型号

DTC123JETL

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

EMT3

其它名称

DTC123JETLCT

典型电阻器比率

0.047

典型输入电阻器

2.2 kOhms

功率-最大值

150mW

功率耗散

150 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-75,SOT-416

封装/箱体

EM-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

配置

Single

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

250MHz

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