【晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置_DTC123JET1G】封装/厂家_DTC123JET1G中文资料_价格

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型号： DTC123JET1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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DTC123JET1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC123JET1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC123JET1G价格参考。ON SemiconductorDTC123JET1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75。您可以下载DTC123JET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTC123JET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTC123JET1G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	DTC123JET1G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 1mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	80 @ 5mA，10V
产品种类	开关晶体管 - 偏压电阻器
供应商器件封装	SC-75
其它名称	DTC123JET1G-ND DTC123JET1GOSTR
典型电阻器比率	0.047
典型输入电阻器	2.2 kOhms
功率-最大值	200mW
功率耗散	0.2 W
包装	带卷（TR）
商标	ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-75，SOT-416
封装/箱体	SC-75-3
峰值直流集电极电流	100 mA
工厂包装数量	3000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN - 预偏压
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	47k
电阻器-基底(R1)(Ω)	2.2k
直流集电极/BaseGainhfeMin	80
系列	DTC123JE
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
频率-跃迁	-

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