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DTC123JEBTL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC123JEBTL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC123JEBTL价格参考¥0.23-¥0.23。ROHM SemiconductorDTC123JEBTL封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)。您可以下载DTC123JEBTL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC123JEBTL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTC123JEBTL是一款预偏置的双极晶体管(BJT),广泛应用于需要精确控制电流和电压的电路中。以下是该型号的主要应用场景: 1. 音频放大器 DTC123JEBTL可以用于音频放大器中的前置放大级或功率输出级。其预偏置特性确保了在不同温度和负载条件下,晶体管的工作点保持稳定,从而减少了失真,提高了音质。特别是在低噪声要求的场景中,这款晶体管能够提供稳定的增益和较低的噪声水平。 2. 电源管理 在开关电源、线性稳压器等电源管理系统中,DTC123JEBTL可以作为驱动级或保护电路中的关键元件。预偏置设计使得它能够在不同的工作条件下保持稳定的导通状态,确保电源系统的高效运行和可靠性。此外,它还可以用于过流保护、短路保护等安全功能。 3. 传感器接口 对于需要高精度信号处理的传感器接口电路,DTC123JEBTL可以用于信号放大和调理。它的预偏置特性有助于减少温度漂移和非线性误差,确保传感器输出信号的准确性。例如,在温度传感器、压力传感器等应用中,这款晶体管可以提供稳定的增益和低噪声性能。 4. 电机驱动 在小型电机驱动电路中,DTC123JEBTL可以用作驱动级或保护级元件。预偏置特性使得它能够在启动和停止过程中保持稳定的电流控制,防止电机过热或损坏。此外,它还可以用于电机的软启动和制动控制,提高系统的响应速度和稳定性。 5. 通信设备 在通信设备中,DTC123JEBTL可以用于射频(RF)放大器、调制解调器等电路中。其预偏置特性有助于提高信号的线性和稳定性,减少干扰和噪声。特别是在无线通信系统中,这款晶体管可以提供可靠的高频性能,确保数据传输的准确性和可靠性。 6. 工业自动化 在工业控制系统中,DTC123JEBTL可以用于各种模拟信号处理和控制电路。预偏置设计使得它能够在恶劣的工业环境中保持稳定的工作状态,适用于温度变化大、电磁干扰强的应用场景。例如,在PLC(可编程逻辑控制器)、伺服控制系统中,这款晶体管可以提供精确的电流控制和快速响应。 总之,DTC123JEBTL凭借其预偏置特性,适用于需要高精度、低噪声和稳定性能的各种电子设备和系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC123JEBTL- |
数据手册 | |
产品型号 | DTC123JEBTL |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | EMT3F |
其它名称 | DTC123JEBTL-ND |
典型电阻器比率 | 21 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-89,SOT-490 |
封装/箱体 | EMT-3F |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |