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  • 型号: DTC123JEBTL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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DTC123JEBTL产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC123JEBTL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC123JEBTL价格参考¥0.23-¥0.23。ROHM SemiconductorDTC123JEBTL封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)。您可以下载DTC123JEBTL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC123JEBTL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的DTC123JEBTL是一款预偏置的双极晶体管(BJT),广泛应用于需要精确控制电流和电压的电路中。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 音频放大器
   DTC123JEBTL可以用于音频放大器中的前置放大级或功率输出级。其预偏置特性确保了在不同温度和负载条件下,晶体管的工作点保持稳定,从而减少了失真,提高了音质。特别是在低噪声要求的场景中,这款晶体管能够提供稳定的增益和较低的噪声水平。

 2. 电源管理
   在开关电源、线性稳压器等电源管理系统中,DTC123JEBTL可以作为驱动级或保护电路中的关键元件。预偏置设计使得它能够在不同的工作条件下保持稳定的导通状态,确保电源系统的高效运行和可靠性。此外,它还可以用于过流保护、短路保护等安全功能。

 3. 传感器接口
   对于需要高精度信号处理的传感器接口电路,DTC123JEBTL可以用于信号放大和调理。它的预偏置特性有助于减少温度漂移和非线性误差,确保传感器输出信号的准确性。例如,在温度传感器、压力传感器等应用中,这款晶体管可以提供稳定的增益和低噪声性能。

 4. 电机驱动
   在小型电机驱动电路中,DTC123JEBTL可以用作驱动级或保护级元件。预偏置特性使得它能够在启动和停止过程中保持稳定的电流控制,防止电机过热或损坏。此外,它还可以用于电机的软启动和制动控制,提高系统的响应速度和稳定性。

 5. 通信设备
   在通信设备中,DTC123JEBTL可以用于射频(RF)放大器、调制解调器等电路中。其预偏置特性有助于提高信号的线性和稳定性,减少干扰和噪声。特别是在无线通信系统中,这款晶体管可以提供可靠的高频性能,确保数据传输的准确性和可靠性。

 6. 工业自动化
   在工业控制系统中,DTC123JEBTL可以用于各种模拟信号处理和控制电路。预偏置设计使得它能够在恶劣的工业环境中保持稳定的工作状态,适用于温度变化大、电磁干扰强的应用场景。例如,在PLC(可编程逻辑控制器)、伺服控制系统中,这款晶体管可以提供精确的电流控制和快速响应。

总之,DTC123JEBTL凭借其预偏置特性,适用于需要高精度、低噪声和稳定性能的各种电子设备和系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC123JEBTL-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

DTC123JEBTL

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

EMT3F

其它名称

DTC123JEBTL-ND
DTC123JEBTLTR

典型电阻器比率

21

典型输入电阻器

2.2 kOhms

功率-最大值

150mW

功率耗散

150 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-89,SOT-490

封装/箱体

EMT-3F

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

250MHz

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