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  • 型号: DTC115EUAT106
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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DTC115EUAT106产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC115EUAT106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC115EUAT106价格参考¥0.34-¥0.64。ROHM SemiconductorDTC115EUAT106封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载DTC115EUAT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC115EUAT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的DTC115EUAT106是一款预偏置的双极晶体管(BJT),广泛应用于需要精确控制电流和电压的电路中。该型号晶体管具有出色的性能,适用于多种应用场景,特别是在要求高可靠性和稳定性的电子设备中。

 1. 音频放大器
DTC115EUAT106可以用于音频放大器的设计中,尤其是在前置放大器或功率放大器的驱动级。由于其预偏置特性,能够确保在不同温度和负载条件下保持稳定的放大性能,减少失真,提升音质表现。此外,其低噪声特性和快速响应速度使得它非常适合用于高质量的音频设备中。

 2. 电源管理
在电源管理电路中,DTC115EUAT106可用于稳压器、线性调节器等应用。它可以通过调节电流来维持输出电压的稳定性,特别适合于对电压精度要求较高的场景,如精密仪器、医疗设备等。预偏置设计有助于简化电路设计,减少外部元件的数量,提高系统的整体可靠性。

 3. 开关电路
该晶体管也可以用于开关电路中,作为开关元件来控制电流的通断。由于其快速的开关速度和较低的饱和电压,DTC115EUAT106能够在高频开关应用中表现出色,如DC-DC转换器、电机驱动器等。预偏置功能还可以帮助优化开关点,减少开关损耗,提高效率。

 4. 信号调理
在信号调理电路中,DTC115EUAT106可以用于信号放大、滤波和整形等操作。它的高增益和低噪声特性使其成为处理微弱信号的理想选择,适用于传感器信号调理、通信设备中的信号处理等场景。

 5. 工业自动化
在工业自动化领域,DTC115EUAT106可用于各种控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等。其稳定的工作特性和预偏置设计有助于提高系统的响应速度和控制精度,确保工业设备的高效运行。

总之,Rohm Semiconductor的DTC115EUAT106凭借其预偏置特性、高可靠性和稳定性,适用于多种电子设备和系统中,尤其在需要精确控制电流和电压的应用场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 20MA

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC115EUAT106-

数据手册

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产品型号

DTC115EUAT106

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

82 @ 5mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

UMT3

其它名称

DTC115EUAT106DKR

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

100 kOhms

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

UMT-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

20mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

100k

电阻器-基底(R1)(Ω)

100k

直流集电极/BaseGainhfeMin

82

配置

Single

频率-跃迁

250MHz

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