ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > DTC114TM3T5G
Datasheet下载- 型号： DTC114TM3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114TM3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114TM3T5G价格参考。ON SemiconductorDTC114TM3T5G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723。您可以下载DTC114TM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTC114TM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTC114TM3T5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于预偏置单晶体管类型。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 音频放大器 - DTC114TM3T5G 可用于音频信号的放大，尤其是在低噪声和高保真度要求的场景中。其预偏置特性使得它在音频电路中能够稳定工作，减少失真。 2. 开关电路 - 该晶体管适合用作开关元件，在数字电路或电源管理电路中实现快速切换。例如，它可以用于控制LED、继电器或其他小型负载的通断。 3. 功率放大器 - 在需要小信号放大的场合，如射频（RF）或中频（IF）电路中，这款晶体管可以提供稳定的增益性能。 4. 传感器信号调理 - 该晶体管可用于将微弱的传感器信号进行放大处理，以便后续电路能够更准确地读取数据。例如，压力传感器、温度传感器等输出信号的放大。 5. 驱动电路 - DTC114TM3T5G 可以作为驱动级晶体管，用于驱动其他更大的功率器件（如MOSFET或IGBT），从而实现高效的功率转换。 6. 线性稳压器 - 在一些简单的线性稳压器设计中，该晶体管可以用作调整管，帮助维持输出电压的稳定性。 7. 电机控制 - 在小型直流电机的控制电路中，该晶体管可以用作驱动元件，通过调节电流来控制电机的速度或方向。 8. 通信设备 - 在某些通信模块中，该晶体管可以用于信号调制与解调，或者作为缓冲器以提高信号传输质量。 总结 DTC114TM3T5G 的预偏置设计使其非常适合需要稳定工作点的应用场景，同时其紧凑的封装形式也便于集成到各种电子设备中。具体应用时需根据实际需求选择合适的外围电路和参数配置，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTC114TM3T5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTC114TM3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 功率耗散 | 260 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SOT-723-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160, 350 |
| 系列 | DTC114TM3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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