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DTC114TKAT146产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114TKAT146由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114TKAT146价格参考¥0.35-¥0.69。ROHM SemiconductorDTC114TKAT146封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3。您可以下载DTC114TKAT146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC114TKAT146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
罗姆半导体(Rohm Semiconductor)的DTC114TKAT146是一款预偏置的双极晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号的应用场景主要集中在需要高精度、稳定性和低噪声性能的电路设计中,特别是在模拟信号处理和电源管理领域。 1. 音频放大器 DTC114TKAT146广泛应用于音频放大器中,尤其是在前置放大器和功率放大器的输入级。由于其预偏置特性,能够确保在不同温度和负载条件下保持稳定的增益和线性度,从而提供高质量的音频输出。它还可以用于耳机放大器、音响设备和其他音频相关的产品中。 2. 电源管理 在电源管理系统中,DTC114TKAT146可以作为开关或线性稳压器中的关键元件。其预偏置功能有助于减少启动时间和提高响应速度,同时确保在各种工作条件下的稳定性。此外,它还可以用于电流检测电路,帮助监测和控制电源系统的电流流动,防止过流现象的发生。 3. 传感器接口 该晶体管适合用于传感器接口电路,尤其是那些需要高精度和低噪声特性的应用。例如,在温度传感器、压力传感器或光学传感器的信号调理电路中,DTC114TKAT146可以作为信号放大部分的关键元件,确保信号的准确传输和放大,同时避免噪声干扰。 4. 工业自动化 在工业自动化领域,DTC114TKAT146可用于控制电机驱动器、继电器或其他执行机构。其预偏置特性使得它能够在复杂的工业环境中保持稳定的性能,确保设备的可靠运行。此外,它还可以用于信号隔离电路,防止外部干扰对控制系统的影响。 5. 医疗设备 在医疗设备中,如心电图机、血压计等,DTC114TKAT146可以用于信号采集和处理电路。其低噪声和高精度特性对于确保医疗设备的测量准确性至关重要。此外,它的预偏置设计有助于提高设备的稳定性和可靠性,确保长时间连续工作的性能。 总的来说,DTC114TKAT146凭借其预偏置特性、高精度和低噪声性能,适用于多种高性能电子设备中,尤其在需要稳定性和精确性的应用场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 DIGIT NPN 50V 100MA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC114TKAT146- |
数据手册 | |
产品型号 | DTC114TKAT146 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | Transistors |
供应商器件封装 | SMT3 |
其它名称 | DTC114TKAT146DKR |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SC-59 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |