DTC114E series NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) Datasheet llOutline Parameter Value SOT-723 SOT-416FL V 50V CC I 100mA C(MAX.) 　　 　　 R 10kΩ 1 DTC114EM DTC114EEB R2 10kΩ (VMT3) (EMT3F) SOT-416 SOT-323FL llFeatures 1) Built-In Biasing Resistors, R = R = 10kΩ 1 2 　　 　　 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTC114EE DTC114EUB 　an inverter circuit without connecting external (EMT3) (UMT3F) 　input resistors (see inner circuit) . SOT-323 SOT-346 3) Only the on/off conditions need to be set 　for operation, making the circuit design easy. 4) Complementary PNP Types: DTA114E series llApplication 　　 　　 INVERTER, INTERFACE, DRIVER DTC114EUA DTC114EKA (UMT3) (SMT3) llInner circuit DTC114EM/ DTC114EEB/ DTC114EUB DTC114EE/ DTC114EUA/ DTC114EKA llPackaging specifications 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Basic Package Taping Reel size Tape width Part No. Package ordering Marking size code (mm) (mm) unit.(pcs) DTC114EM SOT-723 1212 T2L 180 8 8000 24 DTC114EEB SOT-416FL 1616 TL 180 8 3000 24 DTC114EE SOT-416 1616 TL 180 8 3000 24 DTC114EUB SOT-323FL 2021 TL 180 8 3000 24 DTC114EUA SOT-323 2021 T106 180 8 3000 24 DTC114EKA SOT-346 2928 T146 180 8 3000 24 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 1/10 20150827 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

DTC114E series 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet llAbsolute maximum ratings (T = 25°C) a Parameter Symbol Values Unit Supply voltage V 50 V CC Input voltage V -10 to 40 V IN Output current I 50 mA O Collector current I *1 100 mA C(MAX) DTC114EM 150 DTC114EEB 150 DTC114EE 150 Power dissipation P *2 mW D DTC114EUB 200 DTC114EUA 200 DTC114EKA 200 Junction temperature T 150 ℃ j Range of storage temperature T -55 to +150 ℃ stg llElectrical characteristics (T = 25°C) a Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. V V = 5V, I = 100μA - - 0.5 I(off) CC O Input voltage V V V = 0.3V, I = 10mA 3.0 - - I(on) O O Output voltage V I / I = 10mA / 0.5mA - 100 300 mV O(on) O I Input current I V = 5V - - 880 μA I I Output current I V = 50V, V = 0V - - 500 nA O(off) CC I DC current gain G V = 5V, I = 5mA 30 - - - I O O Input resistance R - 7 10 13 kΩ 1 Resistance ratio R /R - 0.8 1.0 1.2 - 2 1 V = 10V, I = -5mA, Transition frequency f *1 CE E - 250 - MHz T f = 100MHz *1 Characteristics of built-in transistor. *2 Each terminal mounted on a reference land. 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　　　 　 　 　 　　 　 　 　　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/10 20150827 - Rev.003

DTC114E series 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet llElectrical characteristic curves (T =25°C) a Fig.1 Input voltage vs. output current (ON Fig.2 Output current vs. input voltage (OFF characteristics) characteristics) Fig.3 Output current vs. output voltage Fig.4 DC current gain vs. output current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 3/10 20150827 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

DTC114E series 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet llElectrical characteristic curves (T =25°C) a Fig.5 Output voltage vs. output current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/10 20150827 - Rev.003

DTC114E series 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet llDimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com 5/10 20150827 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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