ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > DTC114EM3T5G
Datasheet下载- 型号： DTC114EM3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114EM3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114EM3T5G价格参考。ON SemiconductorDTC114EM3T5G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723。您可以下载DTC114EM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTC114EM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的DTC114EM3T5G是一款预偏置的单晶体管 - 双极 (BJT)，具有多种应用场景，尤其是在需要高效、可靠和精确控制电流的应用中。以下是该型号的一些主要应用场景： 1. 电源管理 DTC114EM3T5G在电源管理系统中表现出色，尤其适用于开关电源（SMPS）、线性稳压器等。其预偏置特性使得它能够在启动时快速进入工作状态，减少启动时间和功耗。此外，它还可以用于电压调节电路，确保输出电压的稳定性。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，DTC114EM3T5G可以作为功率放大器或开关元件使用。它可以有效地控制电机的启动、停止和速度调节。由于其低饱和电压和高电流处理能力，该晶体管能够提供高效的电流传输，减少发热，延长电机寿命。 3. 信号放大 DTC114EM3T5G也可以用于模拟信号放大电路中，特别是在音频放大器和其他需要高增益的应用中。其预偏置设计有助于提高放大器的线性度，减少失真，提升音质表现。 4. 保护电路 该晶体管还广泛应用于过流保护、短路保护等安全电路中。通过检测电流的变化，DTC114EM3T5G可以迅速切断电路，防止因过载或短路引起的损坏。其快速响应时间使其成为保护电路的理想选择。 5. 温度传感器 DTC114EM3T5G还可以用作温度传感器的一部分，尤其是在需要监测温度变化的应用中。晶体管的基极-发射极电压（Vbe）随温度变化而变化，因此可以通过测量这一电压来间接测量温度。 6. 通信设备 在通信设备中，DTC114EM3T5G可以用作射频（RF）放大器或调制解调器中的关键元件。其高频性能和低噪声特性使其适合用于无线通信模块、基站和其他高频应用。 7. 汽车电子 在汽车电子系统中，DTC114EM3T5G可以用于点火系统、燃油喷射系统、ABS防抱死系统等。它的高可靠性、耐高温特性和抗电磁干扰能力使其非常适合恶劣的工作环境。 总之，DTC114EM3T5G凭借其预偏置设计、高性能和广泛应用范围，成为了许多电子设备和系统中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTC114EM3T5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTC114EM3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 其它名称 | DTC114EM3T5GOSCT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 功率耗散 | 260 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SOT-723-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 35, 60 |
| 系列 | DTC114EM3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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