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型号： DTC114EETL
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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DTC114EETL产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114EETL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114EETL价格参考。ROHM SemiconductorDTC114EETL封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3。您可以下载DTC114EETL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTC114EETL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的DTC114EETL是一款预偏置的单双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高可靠性和稳定性的电路设计中。以下是该型号晶体管的一些典型应用场景：

 1. 音频放大器
DTC114EETL常用于音频放大器电路中，尤其是前置放大器和功率放大器。由于其预偏置特性，可以确保在音频信号的放大过程中，晶体管始终工作在线性区，减少失真，提供更清晰、稳定的音频输出。

 2. 电源管理
在电源管理电路中，DTC114EETL可用于稳压器、开关电源等场景。它能够帮助实现高效的电压调节，确保输出电压的稳定性，同时通过预偏置功能，减少启动时间和提高响应速度，特别适合于需要快速响应的电源系统。

 3. 传感器接口电路
许多传感器（如温度传感器、压力传感器等）需要将微弱的模拟信号转换为可处理的电信号。DTC114EETL可以作为信号调理电路的一部分，用于放大传感器输出的微弱信号，确保信号不失真地传输到后续处理单元。

 4. 通信设备
在通信设备中，DTC114EETL可用于射频（RF）前端电路，如低噪声放大器（LNA）。预偏置特性有助于保持放大器在高频下的稳定工作，减少噪声干扰，提升通信质量。

 5. 工业控制
在工业控制系统中，DTC114EETL可以用于驱动继电器、电机控制器等执行元件。它的高可靠性使得它能够在恶劣的工业环境中长时间稳定工作，确保控制系统的正常运行。

 6. 消费电子产品
在消费电子产品中，如智能家居设备、便携式音频播放器等，DTC114EETL可用于信号处理和功率控制模块。其紧凑的封装形式和高效的工作性能使其成为小型化、高性能电子产品中的理想选择。

总的来说，DTC114EETL凭借其预偏置特性和高可靠性，在多种应用场景中表现出色，适用于需要精确控制和高效放大的电路设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 50MA SOT-416
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体
品牌	Rohm Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC114EETL-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	DTC114EETL
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	300mV @ 500µA， 10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	30 @ 5mA，5V
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	开关晶体管 - 偏压电阻器
供应商器件封装	EMT3
其它名称	DTC114EETLDKR
典型电阻器比率	1
典型输入电阻器	10 kOhms
功率-最大值	150mW
功率耗散	150 mW
包装	Digi-Reel®
商标	ROHM Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-75，SOT-416
封装/箱体	EM-3
峰值直流集电极电流	100 mA
工厂包装数量	3000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN - 预偏压
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	50mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	10k
电阻器-基底(R1)(Ω)	10k
直流集电极/BaseGainhfeMin	30
配置	Single
集电极连续电流	50 mA
频率-跃迁	250MHz

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DTC114E series 　　　　　　　　　 Datasheet llAbsolute maximum ratings (T = 25°C) a Parameter Symbol Values Unit Supply voltage V 50 V CC Input voltage V -10 to 40 V IN Output current I 50 mA O Collector current I *1 100 mA C(MAX) DTC114EM 150 DTC114EEB 150 DTC114EE 150 Power dissipation P *2 mW D DTC114EUB 200 DTC114EUA 200 DTC114EKA 200 Junction temperature T 150 ℃ j Range of storage temperature T -55 to +150 ℃ stg llElectrical characteristics (T = 25°C) a Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. V V = 5V, I = 100μA - - 0.5 I(off) CC O Input voltage V V V = 0.3V, I = 10mA 3.0 - - I(on) O O Output voltage V I / I = 10mA / 0.5mA - 100 300 mV O(on) O I Input current I V = 5V - - 880 μA I I Output current I V = 50V, V = 0V - - 500 nA O(off) CC I DC current gain G V = 5V, I = 5mA 30 - - - I O O Input resistance R - 7 10 13 kΩ 1 Resistance ratio R /R - 0.8 1.0 1.2 - 2 1 V = 10V, I = -5mA, Transition frequency f *1 CE E - 250 - MHz T f = 100MHz *1 Characteristics of built-in transistor. *2 Each terminal mounted on a reference land. 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/10 20150827 - Rev.003

DTC114E series 　　　　　　　　　　 Datasheet llElectrical characteristic curves (T =25°C) a Fig.1 Input voltage vs. output current (ON Fig.2 Output current vs. input voltage (OFF characteristics) characteristics) Fig.3 Output current vs. output voltage Fig.4 DC current gain vs. output current 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com 3/10 20150827 - Rev.003 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

DTC114E series 　　　　　　　　　　 Datasheet llElectrical characteristic curves (T =25°C) a Fig.5 Output voltage vs. output current 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/10 20150827 - Rev.003

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