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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114EEBTL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114EEBTL价格参考¥0.22-¥0.60。ROHM SemiconductorDTC114EEBTL封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)。您可以下载DTC114EEBTL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC114EEBTL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTC114EEBTL是一款预偏置双极晶体管(BJT),广泛应用于需要精确电流控制和信号放大的电路中。以下是该型号的一些主要应用场景: 1. 音频放大器 DTC114EEBTL常用于音频放大器中,特别是在前置放大器和功率放大器的驱动级。其预偏置特性确保了晶体管在不同工作温度下保持稳定的偏置点,从而减少了失真并提高了音质。此外,该晶体管的低噪声特性使其适合于高保真音响设备。 2. 电源管理 在开关电源、线性稳压器和其他电源管理系统中,DTC114EEBTL可以作为开关或调节元件使用。其快速响应和低饱和电压特性有助于提高电源效率,减少功耗和发热。预偏置功能还简化了电路设计,减少了外部元件的数量。 3. 传感器接口 该晶体管适用于各种传感器接口电路,如温度传感器、压力传感器等。它能够将微弱的传感器信号进行放大,并提供足够的驱动能力以传输到后续处理单元。预偏置功能确保了传感器信号的稳定性和准确性,特别适用于对精度要求较高的工业控制系统。 4. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,DTC114EEBTL可以作为电流放大器,将来自控制器的微弱信号转换为足以驱动电机的电流。其良好的线性度和快速切换能力使得电机运行更加平稳和高效,适用于玩具、家用电器等领域的直流电机驱动。 5. 通信设备 在通信设备中,DTC114EEBTL可用于射频(RF)信号的放大和调制。其宽频带特性和低噪声性能使其成为高频通信电路的理想选择,尤其是在无线通信模块、收发器等设备中。 6. 自动化控制系统 在工业自动化系统中,DTC114EEBTL可以用于信号调理、逻辑电平转换以及脉冲宽度调制(PWM)等任务。其预偏置特性提高了系统的可靠性和稳定性,减少了因环境变化引起的漂移问题。 总之,DTC114EEBTL凭借其预偏置设计和优异的电气性能,在多种电子设备和系统中发挥着重要作用,特别适用于需要高精度、低噪声和稳定工作的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC114EEBTL- |
数据手册 | |
产品型号 | DTC114EEBTL |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | EMT3F |
其它名称 | DTC114EEBTLCT |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-89,SOT-490 |
封装/箱体 | EMT-3F |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |