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  • 型号: DTC114EEBTL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114EEBTL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114EEBTL价格参考¥0.22-¥0.60。ROHM SemiconductorDTC114EEBTL封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)。您可以下载DTC114EEBTL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC114EEBTL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的DTC114EEBTL是一款预偏置双极晶体管(BJT),广泛应用于需要精确电流控制和信号放大的电路中。以下是该型号的一些主要应用场景:

 1. 音频放大器
DTC114EEBTL常用于音频放大器中,特别是在前置放大器和功率放大器的驱动级。其预偏置特性确保了晶体管在不同工作温度下保持稳定的偏置点,从而减少了失真并提高了音质。此外,该晶体管的低噪声特性使其适合于高保真音响设备。

 2. 电源管理
在开关电源、线性稳压器和其他电源管理系统中,DTC114EEBTL可以作为开关或调节元件使用。其快速响应和低饱和电压特性有助于提高电源效率,减少功耗和发热。预偏置功能还简化了电路设计,减少了外部元件的数量。

 3. 传感器接口
该晶体管适用于各种传感器接口电路,如温度传感器、压力传感器等。它能够将微弱的传感器信号进行放大,并提供足够的驱动能力以传输到后续处理单元。预偏置功能确保了传感器信号的稳定性和准确性,特别适用于对精度要求较高的工业控制系统。

 4. 电机驱动
在小型电机驱动应用中,DTC114EEBTL可以作为电流放大器,将来自控制器的微弱信号转换为足以驱动电机的电流。其良好的线性度和快速切换能力使得电机运行更加平稳和高效,适用于玩具、家用电器等领域的直流电机驱动。

 5. 通信设备
在通信设备中,DTC114EEBTL可用于射频(RF)信号的放大和调制。其宽频带特性和低噪声性能使其成为高频通信电路的理想选择,尤其是在无线通信模块、收发器等设备中。

 6. 自动化控制系统
在工业自动化系统中,DTC114EEBTL可以用于信号调理、逻辑电平转换以及脉冲宽度调制(PWM)等任务。其预偏置特性提高了系统的可靠性和稳定性,减少了因环境变化引起的漂移问题。

总之,DTC114EEBTL凭借其预偏置设计和优异的电气性能,在多种电子设备和系统中发挥着重要作用,特别适用于需要高精度、低噪声和稳定工作的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC114EEBTL-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

DTC114EEBTL

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

EMT3F

其它名称

DTC114EEBTLCT

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

150mW

功率耗散

150 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-89,SOT-490

封装/箱体

EMT-3F

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

50mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

250MHz

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