ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > DTC113ZUAT106
Datasheet下载- 型号： DTC113ZUAT106
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC113ZUAT106由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC113ZUAT106价格参考。ROHM SemiconductorDTC113ZUAT106封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载DTC113ZUAT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTC113ZUAT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTC113ZUAT106是一款预偏置的双极晶体管（BJT），适用于多种电子电路中，尤其是在需要高精度和稳定性的应用场景。以下是一些具体的应用场景： 1. 电源管理 DTC113ZUAT106可以用于电源管理电路中，特别是在开关电源、线性稳压器等应用中。它能够提供稳定的电流输出，确保电源系统的可靠性和高效性。由于其预偏置特性，可以在启动时快速进入工作状态，减少启动时间并提高响应速度。 2. 信号放大 在音频设备、传感器信号处理等领域，DTC113ZUAT106可以作为信号放大器的核心元件。它的低噪声特性和高增益使其非常适合用于微弱信号的放大，如麦克风前置放大器或传感器信号调理电路。预偏置设计使得晶体管在不同温度和负载条件下都能保持稳定的性能。 3. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，DTC113ZUAT106可以用作驱动晶体管，控制电机的启停和转速。它能够承受较大的电流波动，并且具有良好的散热性能，适合长时间连续工作。预偏置功能可以简化驱动电路的设计，减少外部元件的数量，降低成本。 4. 开关电路 该晶体管还可以用于开关电路中，例如继电器驱动、LED驱动等。其快速的开关特性和预偏置设计使得它能够在高频下稳定工作，减少开关损耗，提高效率。此外，它还具备一定的过流保护能力，防止因短路或过载导致的损坏。 5. 工业自动化 在工业自动化控制系统中，DTC113ZUAT106可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等场合。它能够准确地传递控制信号，确保系统的精确控制。预偏置特性有助于提高系统的抗干扰能力和稳定性，适应复杂的工业环境。 总之，DTC113ZUAT106凭借其预偏置设计、高精度和稳定性，在电源管理、信号放大、电机驱动、开关电路以及工业自动化等领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA SOT-323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC113ZUAT106- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTC113ZUAT106 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 33 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | DTC113ZUAT106CT |
| 典型电阻器比率 | 10 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | UMT-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 33 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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