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Datasheet下载- 型号： DTC113ZKAT146
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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DTC113ZKAT146产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC113ZKAT146由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC113ZKAT146价格参考。ROHM SemiconductorDTC113ZKAT146封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3。您可以下载DTC113ZKAT146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTC113ZKAT146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTC113ZKAT146是一款预偏置的双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：该晶体管可以用于开关电源、线性稳压器等电源管理系统，提供高效的电流控制和调节功能。它能够稳定输出电压，确保电路在不同负载条件下正常工作。 2. 信号放大：DTC113ZKAT146适用于音频放大器、射频（RF）放大器以及其他需要高增益和低噪声性能的信号放大电路。预偏置特性使得它在这些应用中表现出色，减少了外部元件的需求，简化了设计。 3. 电机驱动与控制：在小型电机驱动电路中，这款晶体管可以作为开关元件来控制电机的启动、停止及速度调节。其快速响应时间和较高的电流承载能力非常适合这类应用。 4. 传感器接口：对于温度传感器、压力传感器等模拟信号处理电路，DTC113ZKAT146可用于信号调理，如缓冲、放大或电平转换，以提高信号的质量和精度。 5. 通信设备：在无线通信模块中，该晶体管可用于功率放大、混频等关键环节，支持稳定的高频信号传输。同时，它的预偏置特性有助于优化功耗并延长电池寿命。 6. 消费电子产品：从智能手机到家用电器，许多消费类电子产品内部都可能用到此类晶体管进行电流切换或逻辑电平转换等操作，确保设备的安全可靠运行。 总之，Rohm的DTC113ZKAT146凭借其优秀的电气参数和预偏置特性，在众多领域内都能发挥重要作用，并为工程师提供了灵活的设计选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC113ZKAT146- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTC113ZKAT146 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 33 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | DTC113ZKAT146DKR |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 33 |
| 配置 | Single |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
