ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > DSS4160V-7
Datasheet下载- 型号： DSS4160V-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DSS4160V-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DSS4160V-7价格参考￥0.38-￥0.60。Diodes Inc.DSS4160V-7封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 1A 150MHz 600mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载DSS4160V-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DSS4160V-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DSS4160V-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单类型器件。该型号的应用场景主要包括以下方面： 1. 开关电路：DSS4160V-7 可用于设计高效的开关电路，适用于需要快速切换的场景，例如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等。 2. 信号放大：作为双极型晶体管 (BJT)，它能够对微弱的电信号进行放大，适用于音频设备、传感器信号处理或其他低噪声放大需求的场合。 3. 电源管理：在一些简单的电源管理应用中，该晶体管可以充当电流调节器或电压限制器，用于保护下游电路免受过流或过压的影响。 4. 通信设备：由于其良好的频率特性和稳定性，DSS4160V-7 可以用在无线通信模块中的信号调制与解调电路中。 5. 消费电子：这款晶体管适合应用于各种消费电子产品中，如遥控器、玩具、家用电器等，提供稳定可靠的工作性能。 6. 工业自动化：在工业控制领域，它可以作为小功率执行器的一部分，参与逻辑判断和动作执行过程。 总之，DSS4160V-7 凭借其高性能参数和可靠性，在众多需要中小功率输出以及精确控制的电子系统中有着广泛的应用价值。具体使用时需根据实际电路要求选择合适的偏置条件及外围元件搭配，确保最佳工作效果。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS BIPOLAR NPN 60V SOT-563两极晶体管 - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DSS4160V-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DSS4160V-7 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | DSS4160V7 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 600 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 1 A at 5 V |
| 系列 | DSS4160 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 250 mV |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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