ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 > DRA3144W0L
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
DRA3144W0L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DRA3144W0L由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DRA3144W0L价格参考。Panasonic CorporationDRA3144W0L封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 100mW Surface Mount SSSMini3-F2-B。您可以下载DRA3144W0L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DRA3144W0L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Panasonic Electronic Components |
数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+CDB7004+DRA3144W+8+WW |
产品图片 | |
产品型号 | DRA3144W0L |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SSSMini3-F2-B |
其它名称 | DRA3144W0LCT |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-723 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
频率-跃迁 | - |