ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > DN0150BLP4-7B
Datasheet下载- 型号： DN0150BLP4-7B
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DN0150BLP4-7B由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DN0150BLP4-7B价格参考。Diodes Inc.DN0150BLP4-7B封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 100mA 60MHz 450mW 表面贴装 X2-DFN1006-3。您可以下载DN0150BLP4-7B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DN0150BLP4-7B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DN0150BLP4-7B是一款NPN型双极晶体管（BJT），主要用于低电压、低功耗的应用场景。该型号晶体管具有以下特点和应用场景： 1. 低电压应用 DN0150BLP4-7B的最大集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）较低，通常在0.9V左右，适用于低电压电路设计。它可以在1.8V到5V的工作电压范围内稳定工作，特别适合用于便携式电子设备、电池供电的系统等对功耗敏感的应用。 2. 信号放大 作为一款NPN晶体管，DN0150BLP4-7B可以用于信号放大电路中。它的电流增益（hFE）在典型条件下可以达到100以上，能够有效地放大微弱的输入信号，适用于音频放大器、传感器信号调理电路等场合。 3. 开关应用 该晶体管还可以用作开关元件，尤其是在需要快速响应和低功耗的场景中。它能够在小信号和大电流之间切换，适用于驱动LED、小型继电器、电机等负载。由于其低饱和电压特性，开关损耗较小，适合高频开关应用。 4. 电源管理 在电源管理系统中，DN0150BLP4-7B可以用于低压差线性稳压器（LDO）或过流保护电路中。它可以作为电流检测元件，帮助监测和控制电路中的电流流动，防止过载或短路情况的发生。 5. 消费电子产品 该晶体管广泛应用于各种消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能家居设备等。它的小封装（SOT-23）使其非常适合用于空间受限的设计，同时具备良好的散热性能。 6. 工业控制 在工业自动化领域，DN0150BLP4-7B可以用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口、电机驱动等场合。它能够承受一定的环境温度变化，并且具有较好的抗干扰能力，确保工业设备的可靠运行。 总之，DN0150BLP4-7B是一款适用于多种低电压、低功耗应用场景的高性能NPN双极晶体管，尤其适合便携式设备、消费电子和工业控制系统中的信号放大、开关和电源管理功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 50V 100MA DFN1006H4-3两极晶体管 - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DN0150BLP4-7B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DN0150BLP4-7B |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 其它名称 | DN0150BLP4-7BDICT |
| 功率-最大值 | 450mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | DFN1006H4-3 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | DN0150B |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 60MHz |
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