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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SOMOSFET MOSFET,P-CHANNEL -40V, -4.1A,-5.2A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 4 A |
Id-连续漏极电流 | - 4 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP4050SSD-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DMP4050SSD-13 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
Pd-功率耗散 | 1.25 W |
Qg-GateCharge | 6.9 nC |
Qg-栅极电荷 | 6.9 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 38 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 674pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 6A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | DMP4050SSD-13DKR |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 14 S |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A |
系列 | DMP4050 |
配置 | Dual |