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  • 型号: DMP4015SK3-13
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMP4015SK3-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP4015SK3-13价格参考。Diodes Inc.DMP4015SK3-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 40V 14A(Ta) 3.5W(Ta) TO-252,(D-Pak)。您可以下载DMP4015SK3-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP4015SK3-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAKMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 TO252,2.5K

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 14 A

Id-连续漏极电流

- 14 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP4015SK3-13-

数据手册

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产品型号

DMP4015SK3-13

Pd-PowerDissipation

1.7 W

Pd-功率耗散

1.7 W

Qg-GateCharge

47.5 nC

Qg-栅极电荷

47.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

11 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

11 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 40 V

Vds-漏源极击穿电压

- 40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

10 ns

下降时间

137 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4234pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

47.5nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 毫欧 @ 9.8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252,(D-Pak)

其它名称

DMP4015SK3-13DIDKR

典型关闭延迟时间

302.7 ns

功率-最大值

1.7W

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

26 S

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Ta)

系列

DMP4015S

通道模式

Enhancement

配置

Single

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