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DMP3160L-7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP3160L-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP3160L-7价格参考。Diodes Inc.DMP3160L-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23-3。您可以下载DMP3160L-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP3160L-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3MOSFET P-Channel 1.08W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP3160L-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMP3160L-7 |
PCN其它 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1080 mW |
Pd-功率耗散 | 1.08 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 122 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 227pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 122 毫欧 @ 2.7A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | DMP3160LDICT |
功率-最大值 | 1.08W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Ta) |
系列 | DMP3160 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |