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  • 型号: DMP3099L-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMP3099L-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP3099L-7价格参考。Diodes Inc.DMP3099L-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 3.8A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23。您可以下载DMP3099L-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP3099L-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

Ciss-InputCapacitance

563 pF

Ciss-输入电容

563 pF

描述

MOSFET P-CH 30V SOT23MOSFET P-Ch ENH FET -30V 65mOhm -10V -3.8A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 3.8 A

Id-连续漏极电流

- 3.8 A

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP3099L-7-

mouser_ship_limit

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产品型号

DMP3099L-7

Pd-PowerDissipation

1.08 W

Pd-功率耗散

1.08 W

Qg-GateCharge

11 nC

Qg-栅极电荷

11 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

65 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

65 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1 V

上升时间

5 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

563pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

65 毫欧 @ 3.8A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23

其它名称

DMP3099L-7DI

典型关闭延迟时间

31 ns

功率-最大值

1.08W

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.8A (Ta)

系列

DMP3099

通道模式

Enhancement

配置

Single

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