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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP3085LSD-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP3085LSD-13价格参考。Diodes Inc.DMP3085LSD-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 3.9A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载DMP3085LSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP3085LSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMP3085LSD-13 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 563pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 5.3A, 10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | DMP3085LSD-13DICT |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.9A |