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  • 型号: DMP3030SN-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMP3030SN-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP3030SN-7价格参考。Diodes Inc.DMP3030SN-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMP3030SN-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP3030SN-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3MOSFET 30V 700mA

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 700 mA

Id-连续漏极电流

- 700 mA

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP3030SN-7-

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产品型号

DMP3030SN-7

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

500 mW

Pd-功率耗散

500 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

200 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

200 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

25 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

160pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

250 毫欧 @ 400mA,10V

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产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-59-3

其它名称

DMP3030SN7
DMP3030SNDITR

典型关闭延迟时间

25 ns

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

700mA (Ta)

系列

DMP3030SN

通道模式

Enhancement

配置

Single

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