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DMP2100U-7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP2100U-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP2100U-7价格参考。Diodes Inc.DMP2100U-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23。您可以下载DMP2100U-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP2100U-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMP2100U-7是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。该型号具有以下特点: 1. 低导通电阻:DMP2100U-7的导通电阻(Rds(on))非常低,典型值为4.5mΩ(在Vgs=10V时),这使得它非常适合用于要求高效率和低功耗的应用场景,如电源管理、DC-DC转换器、负载开关等。 2. 小型封装:该器件采用SOT-23-3L封装,尺寸小巧,适合空间受限的设计,如便携式电子设备、消费类电子产品、物联网设备等。 3. 高开关速度:由于其低栅极电荷(Qg),DMP2100U-7能够实现快速开关,适用于高频开关应用,如开关电源、电机驱动、LED驱动等。 4. 耐压能力:该器件的最大漏源电压(Vds)为30V,适用于低压系统中的各种应用场景,如电池供电设备、汽车电子中的辅助电路等。 5. 温度范围宽:工作温度范围为-55°C至150°C,能够在恶劣环境下稳定工作,适用于工业控制、汽车电子等对温度要求较高的领域。 典型应用场景 1. 电源管理:DMP2100U-7常用于电源管理电路中,作为高效的开关元件,帮助提高电源转换效率,减少发热和功耗。 2. 负载开关:在便携式设备中,DMP2100U-7可以用作负载开关,控制不同模块的电源供应,实现节能和保护功能。 3. 电机驱动:在小型电机驱动应用中,DMP2100U-7可以作为功率级元件,驱动直流电机或步进电机,提供高效的电流控制。 4. LED驱动:在LED照明系统中,DMP2100U-7可以用于调光控制或电流调节,确保LED的亮度和寿命。 5. 电池保护:在电池管理系统中,DMP2100U-7可以用作电池保护开关,防止过充、过放和短路等异常情况。 总之,DMP2100U-7凭借其低导通电阻、小型封装和高开关速度等特点,广泛应用于各类需要高效开关和低功耗的电路设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23MOSFET 20V P-CH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.3 A |
Id-连续漏极电流 | - 4.3 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP2100U-7- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | DMP2100U-7 |
Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
Pd-功率耗散 | 800 mW |
Qg-GateCharge | 9.1 nC |
Qg-栅极电荷 | 9.1 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 38 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.4 V |
上升时间 | 155 ns |
下降时间 | 423 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 216pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.1nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 38 毫欧 @ 3.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23 |
其它名称 | DMP2100U-7TR |
典型关闭延迟时间 | 688 ns |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 3 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Ta) |
系列 | DMP2100 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |