ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > DMP2100U-7
Datasheet下载- 型号： DMP2100U-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
DMP2100U-7产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP2100U-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP2100U-7价格参考。Diodes Inc.DMP2100U-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23。您可以下载DMP2100U-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMP2100U-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23MOSFET 20V P-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.3 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP2100U-7- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMP2100U-7 |
| Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| Qg-GateCharge | 9.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 38 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.4 V |
| 上升时间 | 155 ns |
| 下降时间 | 423 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 216pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | DMP2100U-7TR |
| 典型关闭延迟时间 | 688 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A （Ta） |
| 系列 | DMP2100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
