图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: DMP2100U-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

DMP2100U-7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMP2100U-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP2100U-7价格参考。Diodes Inc.DMP2100U-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23。您可以下载DMP2100U-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP2100U-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的DMP2100U-7是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。该型号具有以下特点:

1. 低导通电阻:DMP2100U-7的导通电阻(Rds(on))非常低,典型值为4.5mΩ(在Vgs=10V时),这使得它非常适合用于要求高效率和低功耗的应用场景,如电源管理、DC-DC转换器、负载开关等。

2. 小型封装:该器件采用SOT-23-3L封装,尺寸小巧,适合空间受限的设计,如便携式电子设备、消费类电子产品、物联网设备等。

3. 高开关速度:由于其低栅极电荷(Qg),DMP2100U-7能够实现快速开关,适用于高频开关应用,如开关电源、电机驱动、LED驱动等。

4. 耐压能力:该器件的最大漏源电压(Vds)为30V,适用于低压系统中的各种应用场景,如电池供电设备、汽车电子中的辅助电路等。

5. 温度范围宽:工作温度范围为-55°C至150°C,能够在恶劣环境下稳定工作,适用于工业控制、汽车电子等对温度要求较高的领域。

 典型应用场景

1. 电源管理:DMP2100U-7常用于电源管理电路中,作为高效的开关元件,帮助提高电源转换效率,减少发热和功耗。

2. 负载开关:在便携式设备中,DMP2100U-7可以用作负载开关,控制不同模块的电源供应,实现节能和保护功能。

3. 电机驱动:在小型电机驱动应用中,DMP2100U-7可以作为功率级元件,驱动直流电机或步进电机,提供高效的电流控制。

4. LED驱动:在LED照明系统中,DMP2100U-7可以用于调光控制或电流调节,确保LED的亮度和寿命。

5. 电池保护:在电池管理系统中,DMP2100U-7可以用作电池保护开关,防止过充、过放和短路等异常情况。

总之,DMP2100U-7凭借其低导通电阻、小型封装和高开关速度等特点,广泛应用于各类需要高效开关和低功耗的电路设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23MOSFET 20V P-CH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4.3 A

Id-连续漏极电流

- 4.3 A

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP2100U-7-

mouser_ship_limit

该产品可能需要其他文件才能进口到中国。

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

DMP2100U-7

Pd-PowerDissipation

0.8 W

Pd-功率耗散

800 mW

Qg-GateCharge

9.1 nC

Qg-栅极电荷

9.1 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

38 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

38 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.4 V

上升时间

155 ns

下降时间

423 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

216pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9.1nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

38 毫欧 @ 3.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23

其它名称

DMP2100U-7TR
DMP2100U7

典型关闭延迟时间

688 ns

功率-最大值

800mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

3 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.3A (Ta)

系列

DMP2100

通道模式

Enhancement

配置

Single

DMP2100U-7 相关产品

AON6522

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

IRLR9343TRLPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRF1010NSTRR

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRFR9310TR

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRLI540GPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IPD50R650CEBTMA1

品牌:Infineon Technologies

价格:

TPN13008NH,L1Q

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

IPD60R385CPBTMA1

品牌:Infineon Technologies

价格: