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型号： DMP2066LSN-7
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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DMP2066LSN-7产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供DMP2066LSN-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP2066LSN-7价格参考。Diodes Inc.DMP2066LSN-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 20V 4.6A（Ta） 1.25W（Ta） SC-59-3。您可以下载DMP2066LSN-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMP2066LSN-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3MOSFET P-channel 1.25W
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	4.6 A
Id-连续漏极电流	4.6 A
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP2066LSN-7-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	DMP2066LSN-7
Pd-PowerDissipation	1250 mW
Pd-功率耗散	1.25 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	40 mOhms at 4.5 V
RdsOn-漏源导通电阻	40 mOhms
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
上升时间	9.9 ns
下降时间	9.9 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	820pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	10.1nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	40 毫欧 @ 4.6A，4.5V
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFETs - Low Threshold Voltage
供应商器件封装	SC-59-3
其它名称	DMP2066LSNDIDKR
典型关闭延迟时间	28 ns
功率-最大值	1.25W
包装	Digi-Reel®
商标	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23-3
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.6A （Ta）
系列	DMP2066
通道模式	Enhancement
配置	Single