ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > DMP2022LSS-13
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP2022LSS-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP2022LSS-13价格参考。Diodes Inc.DMP2022LSS-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP。您可以下载DMP2022LSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP2022LSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMP2022LSS-13是一款单通道增强型N沟道MOSFET,主要应用于低电压、高效率的电源管理和信号切换场景。以下是该型号的具体应用场景: 1. 电源管理 DMP2022LSS-13具有较低的导通电阻(Rds(on)),在低电压条件下能够提供高效的电流传输,适合用于便携式设备的电源管理电路中。例如: - 电池供电设备:如智能手机、平板电脑、智能手表等,这些设备对功耗和效率要求较高,DMP2022LSS-13可以在充电或放电过程中有效减少能量损耗。 - DC-DC转换器:在低压降转换器(如降压转换器)中,该MOSFET可以作为开关元件,确保高效的能量传递,同时保持较小的体积。 2. 负载开关 在需要频繁切换负载的应用中,DMP2022LSS-13可以用作负载开关,控制电流的通断。例如: - USB接口保护:在USB端口的设计中,MOSFET可以防止过流、短路等问题,确保设备的安全性。 - 多路电源切换:在多电源系统中,该MOSFET可以帮助实现不同电源之间的平滑切换,避免电源冲突或损坏。 3. 电机驱动 由于其低导通电阻和快速开关特性,DMP2022LSS-13也适用于小型直流电机的驱动控制,尤其是在低电压环境下。例如: - 微型机器人:在小型机器人或其他自动化设备中,MOSFET可以用来控制电机的启动、停止和转向,确保响应迅速且能耗低。 - 消费电子产品中的风扇控制:如笔记本电脑、投影仪等设备中的散热风扇,MOSFET可以精确控制风扇的速度,以适应不同的散热需求。 4. 信号切换与隔离 在信号处理电路中,DMP2022LSS-13可以用于信号的高速切换和隔离,确保信号的完整性和稳定性。例如: - 通信设备:在无线模块或有线通信接口中,MOSFET可以作为信号切换元件,确保信号的可靠传输。 - 音频设备:在音频放大器或耳机放大器中,MOSFET可以用于信号路径的切换,避免干扰和噪声。 总结 DMP2022LSS-13凭借其低导通电阻、快速开关速度和小封装尺寸,广泛应用于各种低电压、高效率的电源管理和信号切换场景,特别适合便携式电子设备、电机驱动和通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOICMOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP2022LSS-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DMP2022LSS-13 |
Pd-PowerDissipation | 2500 mW |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 9.9 ns |
下降时间 | 76.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2444pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOP |
其它名称 | DMP2022LSS-13DICT |
典型关闭延迟时间 | 108 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOP-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Ta) |
系列 | DMP2022L |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |