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  • 型号: DMP2008UFG-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMP2008UFG-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP2008UFG-7价格参考。Diodes Inc.DMP2008UFG-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMP2008UFG-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP2008UFG-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V 12A POWERDIMOSFET 20V P-CH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

- 12 A

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP2008UFG-7-

数据手册

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产品型号

DMP2008UFG-7

Pd-PowerDissipation

2.2 W

Pd-功率耗散

2.2 W

Qg-GateCharge

75 nC

Qg-栅极电荷

75 nC

RdsOn-漏源导通电阻

17 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.4 V to - 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.4 V to - 1 V

上升时间

33 ns

下降时间

124 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6909pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

72nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 毫欧 @ 12A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerDI3333-8

其它名称

DMP2008UFG-7DITR
DMP2008UFG7

典型关闭延迟时间

291 ns

功率-最大值

2.2W

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

17 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PowerDI3333-8

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,000

正向跨导-最小值

42 S

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 12 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Ta)

系列

DMP2008

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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