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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP1245UFCL-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP1245UFCL-7价格参考。Diodes Inc.DMP1245UFCL-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMP1245UFCL-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP1245UFCL-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFNMOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 6.6 A |
Id-连续漏极电流 | - 6.6 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP1245UFCL-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMP1245UFCL-7 |
Pd-PowerDissipation | 613 mW |
Pd-功率耗散 | 613 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1357.4pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26.1nC @ 8V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 29 毫欧 @ 4A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-DFN1616(1.6x1.6) |
其它名称 | DMP1245UFCL-7DIDKR |
功率-最大值 | 613mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 25 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | X1-DFN1616-6 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
漏极连续电流 | - 6.6 A |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.6A (Ta) |
系列 | DMP1245 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |