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  • 型号: DMP1245UFCL-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMP1245UFCL-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP1245UFCL-7价格参考。Diodes Inc.DMP1245UFCL-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMP1245UFCL-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP1245UFCL-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFNMOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 6.6 A

Id-连续漏极电流

- 6.6 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP1245UFCL-7-

数据手册

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产品型号

DMP1245UFCL-7

Pd-PowerDissipation

613 mW

Pd-功率耗散

613 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

950mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1357.4pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26.1nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

29 毫欧 @ 4A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-DFN1616(1.6x1.6)

其它名称

DMP1245UFCL-7DIDKR

功率-最大值

613mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

25 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-UFDFN 裸露焊盘

封装/箱体

X1-DFN1616-6

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

- 12 V

漏极连续电流

- 6.6 A

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.6A (Ta)

系列

DMP1245

通道模式

Enhancement

配置

Single

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