ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > DMP1045U-7
Datasheet下载- 型号： DMP1045U-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP1045U-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP1045U-7价格参考￥0.47-￥0.62。Diodes Inc.DMP1045U-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 4A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23。您可以下载DMP1045U-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMP1045U-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMP1045U-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。它广泛应用于各种电力电子设备中，尤其是在需要高效功率转换和控制的场景下。 1. 电源管理 DMP1045U-7 常用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理系统中。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高电源转换效率。特别是在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中，该器件能够有效降低功耗，延长电池续航时间。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，DMP1045U-7 可以作为开关元件，控制电机的启停和转速。例如，在无人机、电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）等领域，该 MOSFET 的快速开关特性和低损耗性能可以确保电机运行的稳定性和高效性。 3. 负载开关 DMP1045U-7 还适用于负载开关的应用场景，如 USB 充电接口、智能插座等。通过控制电路的通断，它可以保护系统免受过流、短路等异常情况的影响，同时保证电流传输的稳定性。 4. 电池保护 在锂电池保护电路中，DMP1045U-7 可以用作充放电控制开关。当电池电压过高或过低时，MOSFET 会自动切断电路，防止电池过充或过放，从而延长电池寿命并提高安全性。 5. 信号切换 在一些通信设备和音频处理电路中，DMP1045U-7 可以用于信号切换。它的低寄生电容和快速响应速度使得它能够在高频信号路径中实现高效的开关操作，而不会对信号质量产生显著影响。 总结 DMP1045U-7 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、电池保护和信号切换等多个领域。尤其适合对效率和可靠性要求较高的便携式电子设备和消费类电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4A SOT23MOSFET MOSFET BVDSS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP1045U-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMP1045U-7 |
| Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
| Pd-功率耗散 | 0.8 W |
| Qg-GateCharge | 15.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | + /- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | + /- 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.55 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.55 V |
| 上升时间 | 23.3 ns |
| 下降时间 | 106.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1357pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | DMP1045U-7DI |
| 典型关闭延迟时间 | 91.2 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
| 系列 | DMP1045 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
