ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > DMP1045U-7
Datasheet下载- 型号： DMP1045U-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP1045U-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP1045U-7价格参考￥0.47-￥0.62。Diodes Inc.DMP1045U-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 4A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23。您可以下载DMP1045U-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMP1045U-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMP1045U-7是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其应用场景广泛，尤其适用于需要高效、低功耗和高可靠性的电子设备。以下是该型号的具体应用场景： 1. 电源管理 DMP1045U-7具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用于各种电源管理系统。例如： - DC-DC转换器：在降压或升压转换器中，DMP1045U-7可以用作同步整流器，提高效率并减少热量产生。 - 负载开关：用于控制电源的通断，确保系统在待机或关闭状态下消耗极低的电流。 2. 电池管理系统 在电池供电的设备中，DMP1045U-7可以用于保护电路，防止过充、过放和短路等问题。它还可以用于电池均衡电路，确保多节电池之间的电压一致，延长电池寿命。 3. 电机驱动 由于其低导通电阻和快速开关速度，DMP1045U-7非常适合用于小型电机驱动应用，如： - 无刷直流电机（BLDC）驱动：用于消费电子、智能家居设备中的风扇、泵等小功率电机。 - 步进电机驱动：用于打印机、扫描仪等设备中的精确位置控制。 4. 信号切换 在通信和数据传输设备中，DMP1045U-7可以用作信号切换元件，实现不同信号路径的选择和隔离。它的低电容特性有助于减少信号失真和噪声干扰。 5. 便携式设备 DMP1045U-7的小封装（SOT-23）使其非常适合用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它能够有效降低功耗，延长电池续航时间。 6. 工业自动化 在工业控制系统中，DMP1045U-7可以用于传感器接口、继电器驱动等场合，提供可靠的开关功能，并且能够在恶劣环境下保持稳定性能。 总结 DMP1045U-7凭借其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸，广泛应用于电源管理、电池管理、电机驱动、信号切换、便携式设备以及工业自动化等领域。它不仅提高了系统的效率和可靠性，还为设计人员提供了灵活的设计选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4A SOT23MOSFET MOSFET BVDSS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP1045U-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMP1045U-7 |
| Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
| Pd-功率耗散 | 0.8 W |
| Qg-GateCharge | 15.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | + /- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | + /- 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.55 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.55 V |
| 上升时间 | 23.3 ns |
| 下降时间 | 106.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1357pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | DMP1045U-7DI |
| 典型关闭延迟时间 | 91.2 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
| 系列 | DMP1045 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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