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  • 型号: DMN65D8L-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN65D8L-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN65D8L-7价格参考¥0.13-¥0.21。Diodes Inc.DMN65D8L-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 310mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23。您可以下载DMN65D8L-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN65D8L-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

310 mA

Id-连续漏极电流

310 mA

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN65D8L-7-

数据手册

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产品型号

DMN65D8L-7

Pd-PowerDissipation

370 mW

Pd-功率耗散

370 mW

Qg-GateCharge

0.87 nC

Qg-栅极电荷

0.87 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V

上升时间

2.8 ns

下降时间

7.3 n

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

22pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.87nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 欧姆 @ 115mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23

其它名称

DMN65D8L-7DITR
DMN65D8L7

典型关闭延迟时间

12.6 ns

功率-最大值

370mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

310mA (Ta)

系列

DMN63D8

通道模式

Enhancement

配置

Single

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