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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN6140L-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN6140L-13价格参考。Diodes Inc.DMN6140L-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23。您可以下载DMN6140L-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN6140L-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN6140L-13 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 315pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 1.8A, 10V |
供应商器件封装 | SOT-23 |
其它名称 | DMN6140L-13DITR |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 10,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.6A (Ta) |