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Datasheet下载- 型号： DMN6068LK3-13
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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DMN6068LK3-13产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN6068LK3-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN6068LK3-13价格参考￥1.22-￥1.60。Diodes Inc.DMN6068LK3-13封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 6A（Ta） 2.12W（Ta） TO-252-3。您可以下载DMN6068LK3-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN6068LK3-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 6A DPAKMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.5 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN6068LK3-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN6068LK3-13 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 4.12 W |
| Pd-功率耗散 | 4.12 W |
| Qg-GateCharge | 10.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 68 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 68 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10.8 ns |
| 下降时间 | 8.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 502pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 68 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | DMN6068LK3-13DITR |
| 典型关闭延迟时间 | 11.9 ns |
| 功率-最大值 | 2.12W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 19.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
| 系列 | DMN6068 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
