ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > DMN5L06DWK-7
Datasheet下载- 型号： DMN5L06DWK-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN5L06DWK-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN5L06DWK-7价格参考￥2.65-￥2.87。Diodes Inc.DMN5L06DWK-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 50V 305mA 250mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载DMN5L06DWK-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN5L06DWK-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN5L06DWK-7是一款晶体管阵列，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 DMN5L06DWK-7常用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其能够在高电流应用中减少功耗，提高效率。该器件适用于便携式设备、消费电子、工业控制等领域，帮助实现高效的电源转换和管理。 2. 负载开关 在需要频繁切换负载的应用中，DMN5L06DWK-7可以用作负载开关。它能够快速响应并精确控制电流的通断，适用于USB端口保护、电池管理系统、LED驱动电路等场合。其低导通电阻有助于减少开关过程中的能量损失，延长电池寿命。 3. 电机控制 该器件可用于小型电机驱动和控制电路中，尤其是在需要精确控制电流和电压的应用中。例如，步进电机、直流无刷电机（BLDC）等都可以使用DMN5L06DWK-7来实现高效、稳定的驱动。其低功耗和快速响应特性使得电机控制系统更加节能和可靠。 4. 信号切换与隔离 DMN5L06DWK-7还可以用于信号切换和隔离电路中，特别是在需要高速切换或高可靠性信号传输的应用中。它可以有效地隔离不同电位的信号源，防止干扰和损坏敏感电路。常见的应用场景包括通信设备、数据采集系统、自动化控制系统等。 5. ESD保护 在一些对静电放电（ESD）敏感的电路中，DMN5L06DWK-7可以作为保护元件，防止因静电引起的损坏。其快速响应特性和低寄生电容使其在高速接口（如USB、HDMI等）中表现出色，确保信号完整性的同时提供有效的保护。 总之，DMN5L06DWK-7凭借其优异的电气性能和可靠性，在电源管理、负载开关、电机控制、信号切换与隔离以及ESD保护等多个领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT-363MOSFET Dual N-Channel |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 305 mA |
| Id-连续漏极电流 | 305 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN5L06DWK-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN5L06DWK-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 50mA @ 5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DMN5L06DWKDICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 305mA |
| 系列 | DMN5L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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