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  • 型号: DMN4800LSSL-13
  • 制造商: Diodes Inc.
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DMN4800LSSL-13产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN4800LSSL-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN4800LSSL-13价格参考。Diodes Inc.DMN4800LSSL-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 8A(Ta) 1.46W(Ta) 8-SO。您可以下载DMN4800LSSL-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN4800LSSL-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DMN4800LSSL-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))和小型封装(如 LLP 封装),适用于多种高效能、空间受限的应用场景。以下是其主要应用场景:

1. 便携式电子设备  
   DMN4800LSSL-13 的小尺寸和低 Rds(on) 特性使其非常适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理电路,例如负载开关、电池保护电路和 DC-DC 转换器。

2. 电源管理  
   该 MOSFET 可用于低压电源管理系统中,包括降压转换器、升压转换器和线性稳压器的开关元件。其高效的导通性能有助于减少功耗并提高整体效率。

3. 负载开关  
   在需要快速切换负载的场合,例如 USB 端口供电、音频放大器或传感器模块的电源控制,DMN4800LSSL-13 可以作为理想的负载开关元件。

4. 电机驱动与控制  
   该器件可用于小型直流电机的驱动电路中,例如玩具、家用电器(如风扇、水泵)以及自动化设备中的电机控制。其低导通电阻可以降低电机运行时的发热和能耗。

5. 信号切换与保护  
   在信号切换应用中,DMN4800LSSL-13 可用于隔离不同电路部分,同时提供过流保护功能。例如,在通信设备或工业控制系统中用作信号路径的开关。

6. 电池管理系统 (BMS)  
   由于其低导通电阻和高可靠性,该 MOSFET 适合用于锂离子电池组的充放电控制、短路保护和电流调节。

7. 消费类电子产品  
   包括数码相机、蓝牙设备、可穿戴设备等在内的消费类电子产品中,DMN4800LSSL-13 可用作电源开关或功率级元件,以实现高效的小型化设计。

总结来说,DMN4800LSSL-13 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式,广泛应用于需要高效、低损耗和小型化的电子电路中,特别是在便携式设备和电源管理领域表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 8A SO-8MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN4800LSSL-13-

数据手册

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产品型号

DMN4800LSSL-13

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

1.46 W

Pd-功率耗散

1.46 W

Qg-GateCharge

8.7 nC

Qg-栅极电荷

8.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

14 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4.5 ns

下降时间

8.55 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.6V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

798pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.7nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 毫欧 @ 8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

DMN4800LSSL-13DITR
DMN4800LSSL13

典型关闭延迟时间

26.33 ns

功率-最大值

1.46W

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

14 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

8 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

8 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Ta)

系列

DMN4800

通道模式

Enhancement

配置

Single

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