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DMN4800LSSL-13产品简介:
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DMN4800LSSL-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))和小型封装(如 LLP 封装),适用于多种高效能、空间受限的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 便携式电子设备 DMN4800LSSL-13 的小尺寸和低 Rds(on) 特性使其非常适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理电路,例如负载开关、电池保护电路和 DC-DC 转换器。 2. 电源管理 该 MOSFET 可用于低压电源管理系统中,包括降压转换器、升压转换器和线性稳压器的开关元件。其高效的导通性能有助于减少功耗并提高整体效率。 3. 负载开关 在需要快速切换负载的场合,例如 USB 端口供电、音频放大器或传感器模块的电源控制,DMN4800LSSL-13 可以作为理想的负载开关元件。 4. 电机驱动与控制 该器件可用于小型直流电机的驱动电路中,例如玩具、家用电器(如风扇、水泵)以及自动化设备中的电机控制。其低导通电阻可以降低电机运行时的发热和能耗。 5. 信号切换与保护 在信号切换应用中,DMN4800LSSL-13 可用于隔离不同电路部分,同时提供过流保护功能。例如,在通信设备或工业控制系统中用作信号路径的开关。 6. 电池管理系统 (BMS) 由于其低导通电阻和高可靠性,该 MOSFET 适合用于锂离子电池组的充放电控制、短路保护和电流调节。 7. 消费类电子产品 包括数码相机、蓝牙设备、可穿戴设备等在内的消费类电子产品中,DMN4800LSSL-13 可用作电源开关或功率级元件,以实现高效的小型化设计。 总结来说,DMN4800LSSL-13 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式,广泛应用于需要高效、低损耗和小型化的电子电路中,特别是在便携式设备和电源管理领域表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8A SO-8MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN4800LSSL-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DMN4800LSSL-13 |
PCN其它 | |
Pd-PowerDissipation | 1.46 W |
Pd-功率耗散 | 1.46 W |
Qg-GateCharge | 8.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 8.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 4.5 ns |
下降时间 | 8.55 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 798pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.7nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 8A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | DMN4800LSSL-13DITR |
典型关闭延迟时间 | 26.33 ns |
功率-最大值 | 1.46W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 14 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 8 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 8 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Ta) |
系列 | DMN4800 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |