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Datasheet下载- 型号： DMN4800LSSL-13
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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DMN4800LSSL-13产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN4800LSSL-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN4800LSSL-13价格参考。Diodes Inc.DMN4800LSSL-13封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 8A（Ta） 1.46W（Ta） 8-SO。您可以下载DMN4800LSSL-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN4800LSSL-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8A SO-8MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN4800LSSL-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN4800LSSL-13 |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.46 W |
| Pd-功率耗散 | 1.46 W |
| Qg-GateCharge | 8.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4.5 ns |
| 下降时间 | 8.55 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 798pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | DMN4800LSSL-13DITR |
| 典型关闭延迟时间 | 26.33 ns |
| 功率-最大值 | 1.46W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 14 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
| 系列 | DMN4800 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
