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DMN4020LFDE-7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN4020LFDE-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN4020LFDE-7价格参考。Diodes Inc.DMN4020LFDE-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 8A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)。您可以下载DMN4020LFDE-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN4020LFDE-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN4020LFDE-7 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19.1nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 8A,10V |
供应商器件封装 | 6-UDFN (2x2) |
其它名称 | DMN4020LFDE-7DICT |
功率-最大值 | 660mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Ta) |