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  • 型号: DMN3730UFB-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3730UFB-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3730UFB-7价格参考。Diodes Inc.DMN3730UFB-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN3730UFB-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN3730UFB-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 750MA DFNMOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

730 mA

Id-连续漏极电流

730 mA

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3730UFB-7-

数据手册

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产品型号

DMN3730UFB-7

Pd-PowerDissipation

0.69 W

Pd-功率耗散

690 mW

Qg-GateCharge

1.6 nC

Qg-栅极电荷

1.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

460 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

460 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

950mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

64.3pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

460 毫欧 @ 200mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-DFN

其它名称

DMN3730UFB-7DKR

功率-最大值

470mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-UFDFN

封装/箱体

DFN1006H4-3

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

40 mS

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

750mA (Ta)

系列

DMN3730

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