Datasheet下载- 型号： DMN3730U-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3730U-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3730U-7价格参考。Diodes Inc.DMN3730U-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN3730U-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3730U-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN3730U-7是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和小封装尺寸的特点，适合应用于多种电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 便携式电子产品：由于其低导通电阻和小封装（如SOT-363），DMN3730U-7非常适合用于便携式设备中的电源管理电路，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。 2. 负载开关：在需要高效开关的应用中，DMN3730U-7可以用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态，从而实现节能和保护功能。 3. 电池管理系统 (BMS)：在电池供电系统中，这款MOSFET可用于电池保护电路，防止过流、短路或过度放电等情况发生。 4. DC-DC转换器：DMN3730U-7适用于降压或升压DC-DC转换器中的同步整流电路，提高转换效率并减少功率损耗。 5. 电机驱动：小型直流电机驱动电路中可以使用该MOSFET作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。 6. 信号切换：在需要高速信号切换的场合，例如音频信号切换或数据线路切换，DMN3730U-7凭借其快速开关特性和低导通电阻成为理想选择。 7. USB端口保护：在USB接口设计中，该MOSFET可用于过流保护和热插拔保护，确保设备连接时的安全性。 8. 汽车电子：尽管主要用于消费类电子产品，但在某些对空间要求严格的汽车应用中，DMN3730U-7也可用作辅助开关器件，例如车内照明控制或传感器接口。 总之，DMN3730U-7因其出色的电气性能和紧凑的封装形式，在各种需要高效开关和功率管理的应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 940 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3730U-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN3730U-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.45 W |
| Pd-功率耗散 | 450 mW |
| Qg-GateCharge | 1.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.6 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 460 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 2.8 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 64.3pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 460 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | DMN3730U-7DICT |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 450mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 460 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 40 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 940 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 750mA （Ta） |
| 系列 | DMN3730 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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