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Datasheet下载- 型号： DMN3030LSS-13
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3030LSS-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3030LSS-13价格参考。Diodes Inc.DMN3030LSS-13封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP。您可以下载DMN3030LSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3030LSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN3030LSS-13是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，其主要应用场景包括以下几类： 1. 电源管理 - 负载开关：该器件适用于低功耗设备中的负载开关应用，能够高效地控制电路的通断，减少静态电流损耗。 - DC-DC转换器：作为同步整流或开关元件，用于降压、升压或反相转换器中，提供高效的功率转换。 - 电池保护：在便携式电子设备中，用作电池充放电的保护开关，防止过流或短路。 2. 信号切换 - 信号路由：在多路复用器或多通道系统中，用于信号的切换和路由，确保信号完整性。 - 音频开关：在音频设备中，用于切换不同的输入或输出信号路径，避免信号干扰。 3. 消费电子 - 移动设备：如智能手机、平板电脑等，用作电源管理和外围设备接口的控制开关。 - USB端口保护：在USB充电或数据传输中，用作过流保护和热插拔保护。 - LED驱动：用于驱动小型LED阵列，特别是在需要低导通电阻和快速开关的应用中。 4. 工业与汽车 - 传感器接口：在工业自动化和汽车电子中，用于控制传感器信号的采集和传输。 - 电机驱动：用于小型直流电机的驱动和控制，提供高效率和低功耗的性能。 - 汽车电子：在车载信息娱乐系统、照明控制和辅助驾驶系统中，用作电源管理和信号切换。 5. 特点支持的应用优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：仅为3.6mΩ（典型值），有助于降低功耗和提升效率。 - 小封装尺寸（SOT896-3L）：适合空间受限的设计，满足现代电子产品对小型化的需求。 - 高开关速度：支持高频应用，减少开关损耗，提高系统性能。 综上所述，DMN3030LSS-13广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域，尤其适合对效率、小型化和可靠性要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOICMOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 9A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3030LSS-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN3030LSS-13 |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 2500 mW |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 4.5 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 741pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 18 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
| 系列 | DMN3030 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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