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  • 型号: DMN3010LSS-13
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3010LSS-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3010LSS-13价格参考。Diodes Inc.DMN3010LSS-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN3010LSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN3010LSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的DMN3010LSS-13是一款N通道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS):  
   DMN3010LSS-13适用于开关模式电源中的功率开关或同步整流器,能够提供高效的电流切换和较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗。

2. 负载开关:  
   该器件常用于便携式设备中的负载开关应用,例如手机、平板电脑和其他消费电子产品。它能够快速开启或关闭负载电流,同时保持低功耗。

3. 电机驱动:  
   在小型电机驱动电路中,DMN3010LSS-13可以用作驱动信号的开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。

4. 电池管理:  
   该MOSFET适合用于锂电池保护电路,能够防止过充、过放或短路等问题。它的低导通电阻特性有助于降低电池系统的能耗。

5. 信号电平转换:  
   在需要不同电压电平之间进行信号转换的电路中,DMN3010LSS-13可以作为开关元件,实现高效且稳定的电平转换。

6. 音频放大器:  
   该器件可用于D类音频放大器中的开关元件,帮助实现高效率的音频信号放大。

7. LED驱动:  
   DMN3010LSS-13适用于LED背光驱动或恒流驱动电路,能够精确控制LED亮度并确保稳定性。

8. 通信设备:  
   在无线通信模块或物联网设备中,这款MOSFET可用作电源管理或信号切换元件,支持低功耗运行。

总之,DMN3010LSS-13凭借其出色的性能参数(如低Rds(on)、小封装尺寸和高频率工作能力),非常适合用于便携式设备、消费电子、工业控制和通信领域的各种应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOICMOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

16 A

Id-连续漏极电流

16 A

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3010LSS-13-

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产品型号

DMN3010LSS-13

PCN其它

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2500 mW

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8 ns

下降时间

27 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2096pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43.7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 16A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOP-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Ta)

系列

DMN3010

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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