Datasheet下载- 型号： DMN3010LFG-13
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3010LFG-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3010LFG-13价格参考。Diodes Inc.DMN3010LFG-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN3010LFG-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3010LFG-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN3010LFG-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和小封装尺寸的特点，适合用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： DMN3010LFG-13 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和负载开关等应用。其低 Rds(on) 特性可以减少导通损耗，提高效率，特别适合便携式设备和电池供电系统。 2. 电机驱动： 在小型直流电机或步进电机驱动中，该 MOSFET 可用作开关元件，控制电机的启停和速度调节。其快速开关特性和低功耗使其成为理想选择。 3. 信号切换： 该器件可用于音频信号切换、数据线路切换和其他需要低导通电阻的应用场景，确保信号完整性的同时降低功耗。 4. 保护电路： DMN3010LFG-13 常用于过流保护、短路保护和热插拔保护电路中，提供可靠的电流限制和快速响应能力。 5. 消费电子： 由于其小型化的封装（如 DFN1010-3），该 MOSFET 广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式电子产品中。 6. 工业应用： 在工业自动化领域，该器件可用于传感器接口、继电器驱动和小型化控制系统中的开关功能。 总之，DMN3010LFG-13 凭借其高效能和紧凑设计，非常适合需要高性能、低功耗和小尺寸解决方案的各种电子应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN3010LFG-13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2075pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 其它名称 | DMN3010LFG-13DI |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta）， 30A （Tc） |
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