ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > DMN26D0UFB4-7
Datasheet下载- 型号： DMN26D0UFB4-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN26D0UFB4-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN26D0UFB4-7价格参考。Diodes Inc.DMN26D0UFB4-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 230mA（Ta） 350mW（Ta） X2-DFN1006-3。您可以下载DMN26D0UFB4-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN26D0UFB4-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 230MA DFNMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 230 mA |
| Id-连续漏极电流 | 230 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN26D0UFB4-7 |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14.1pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 其它名称 | DMN26D0UFB4-7DICT |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | DFN1006H4-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.242 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 230mA （Ta） |
| 系列 | DMN26D |
| 通道模式 | Enhancement |
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