ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > DMN26D0UDJ-7
Datasheet下载- 型号： DMN26D0UDJ-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN26D0UDJ-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN26D0UDJ-7价格参考。Diodes Inc.DMN26D0UDJ-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 240mA 300mW 表面贴装 SOT-963。您可以下载DMN26D0UDJ-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN26D0UDJ-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN26D0UDJ-7 是由 Diodes Incorporated 生产的晶体管 - FET，MOSFET 阵列。该器件属于低电压、逻辑电平增强型 N 通道 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效能和低功耗的应用场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：DMN26D0UDJ-7 常用于各种电源管理电路中，如 DC-DC 转换器、负载开关和线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高电源转换效率。 2. 电池管理系统 (BMS)：在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该 MOSFET 阵列可用于电池充电控制和保护电路，确保电池的安全和稳定运行。 3. 信号切换与隔离：由于其快速开关特性和低导通电阻，DMN26D0UDJ-7 可用于信号切换和隔离应用，如数据通信接口、传感器信号处理等，确保信号传输的准确性和可靠性。 4. 马达驱动与控制：在小型电机驱动应用中，如风扇、泵浦和其他小型电动工具，该 MOSFET 阵列能够提供高效的驱动能力，同时保持较低的功耗。 5. 消费电子产品：在各种消费电子产品中，如智能手表、智能家居设备和音频设备，DMN26D0UDJ-7 可用于实现高效能的电源管理和信号处理功能。 6. 工业自动化：在工业控制系统中，如 PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和执行器驱动等，该 MOSFET 阵列能够提供可靠的开关性能，支持系统稳定运行。 7. 汽车电子：在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、车身控制系统和辅助驾驶系统，DMN26D0UDJ-7 可用于电源管理和信号切换，确保系统的高效和安全运行。 总之，DMN26D0UDJ-7 凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适用于多种需要高效能和低功耗的应用领域，特别适合于便携式设备和对功耗敏感的系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 240MA SOT963门驱动器 DUAL N-CH 20V 0.23A |
| 产品分类 | FET - 阵列集成电路 - IC |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,Diodes Incorporated DMN26D0UDJ-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN26D0UDJ-7 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 上升时间 | 7.9 ns |
| 下降时间 | 15.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.05V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14.1pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 其它名称 | DMN26D0UDJ-7DITR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 封装/箱体 | SOT-963 |
| 最大关闭延迟时间 | 13.4 ns |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大开启延迟时间 | 3.8 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 240mA |
| 电源电压-最大 | 20 V |
| 电源电流 | 0.23 A |
| 类型 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 系列 | DMN26D |
| 输出端数量 | 2 |
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