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Datasheet下载- 型号： DMN2400UV-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2400UV-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2400UV-7价格参考。Diodes Inc.DMN2400UV-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 1.33A 530mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载DMN2400UV-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2400UV-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2400UV-7是一款晶体管阵列，具体属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：DMN2400UV-7适用于各种电源管理系统，如开关电源、稳压器和电池充电电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗，提高效率。它可以在DC-DC转换器中用作同步整流器或低压侧开关，以优化性能。 2. 信号切换：在需要高频信号切换的应用中，如通信设备、数据传输线路和音频处理系统，DMN2400UV-7能够提供快速开关速度和低电容特性，确保信号完整性并减少干扰。 3. 负载控制：该器件可用于控制多个负载，例如LED驱动、电机控制和继电器驱动等。通过集成多个MOSFET在一个封装内，它可以简化电路设计，减少元件数量，并提高系统的可靠性和紧凑性。 4. 保护电路：在过流保护、短路保护和其他安全功能中，DMN2400UV-7可以充当关键组件。它的高电流承载能力和热稳定性使其能够在恶劣环境下工作，同时提供必要的保护机制。 5. 消费电子与家电：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他便携式电子产品中，这款MOSFET阵列用于实现高效能的电源管理和接口保护。此外，在家用电器如空调、洗衣机和冰箱中也有广泛应用，帮助提升产品的能效比和用户体验。 6. 工业自动化：对于工业控制系统中的传感器接口、执行器驱动以及PLC模块等部分，DMN2400UV-7凭借其坚固耐用的设计和优异的电气参数表现，成为理想的选择。 总之，DMN2400UV-7因其出色的性能和灵活性，广泛应用于从消费级产品到工业领域的多种场合，特别是在需要高性能电源管理和信号处理的地方。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563MOSFET MOSFET,N-CHANNEL |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.33 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.33 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2400UV-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2400UV-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 530 mW |
| Pd-功率耗散 | 530 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 7.28 ns |
| 下降时间 | 10.54 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 480 毫欧 @ 200mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | DMN2400UV-7DITR |
| 典型关闭延迟时间 | 13.74 ns |
| 功率-最大值 | 530mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.33A |
| 系列 | DMN2400 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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