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  • 型号: DMN2400UFB4-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2400UFB4-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2400UFB4-7价格参考。Diodes Inc.DMN2400UFB4-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN2400UFB4-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN2400UFB4-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

750 mA

Id-连续漏极电流

750 mA

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2400UFB4-7-

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产品型号

DMN2400UFB4-7

Pd-PowerDissipation

0.47 W

Pd-功率耗散

470 mW

Qg-GateCharge

0.5 nC

Qg-栅极电荷

0.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

550 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

550 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

0.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

0.9 V

上升时间

3.82 ns

下降时间

9.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

36pF @ 16V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

550 毫欧 @ 600mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-DFN1006(1.0x0.6)

其它名称

DMN2400UFB4-7DIDKR

典型关闭延迟时间

14.8 ns

功率-最大值

470mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-XFDFN

封装/箱体

DFN1006H4-3

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

1 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

750mA (Ta)

系列

DMN2400

通道模式

Enhancement

配置

Single

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