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Datasheet下载- 型号： DMN2300UFL4-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2300UFL4-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2300UFL4-7价格参考。Diodes Inc.DMN2300UFL4-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 2.11A 530mW 表面贴装 X2-DFN1310-6。您可以下载DMN2300UFL4-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2300UFL4-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2300UFL4-7是一款晶体管阵列，属于FET和MOSFET类别。这款器件具有低导通电阻（Rds(on)）和小尺寸封装，适用于多种应用场景。 1. 电源管理： 该器件常用于电源管理系统中，如DC-DC转换器、负载开关和线性稳压器等。它能够高效地控制电流流动，减少功率损耗，并提供稳定的电压输出。其低导通电阻有助于降低发热，提高系统效率。 2. 消费电子： 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，DMN2300UFL4-7可用于电池管理和充电电路。它能快速响应负载变化，确保设备在不同工作模式下的稳定运行。此外，它还支持USB端口保护，防止过流和短路情况发生。 3. 工业自动化： 工业控制系统中，该MOSFET阵列可以驱动传感器、执行器和通信接口。它的高可靠性和紧凑设计使其适合安装在空间有限的环境中。例如，在可编程逻辑控制器（PLC）或分布式I/O模块中，它可以实现精确的信号传输和控制功能。 4. 汽车电子： 汽车领域内，这款器件适用于车身电子系统，如车窗升降器、座椅调节装置及灯光控制单元。它具备良好的抗干扰能力和宽温度范围适应性，能够在恶劣的工作条件下保持性能稳定。同时，其低功耗特性也有助于延长车辆电池寿命。 5. 通信设备： 在网络路由器、交换机及基站等通信设施里，DMN2300UFL4-7可用于电源分配网络（PDN），以确保各个组件获得适当的工作电压。此外，它还可以用作信号切换元件，优化数据传输路径。 总之，Diodes Incorporated的DMN2300UFL4-7凭借其优异的电气参数和小巧的封装形式，广泛应用于各类需要高效功率转换与控制的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFNMOSFET 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.11 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.11 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2300UFL4-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2300UFL4-7 |
| Pd-PowerDissipation | 0.53 W |
| Pd-功率耗散 | 530 mW |
| Qg-GateCharge | 1.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 520 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 520 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.95 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.95 V |
| 上升时间 | 2.8 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 64.3pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 195 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | X2-DFN1310-6 |
| 其它名称 | DMN2300UFL4-7DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 530mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-XFDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | X2-DFN1310-6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.11A |
| 系列 | DMN2300 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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