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  • 型号: DMN2100UDM-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2100UDM-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2100UDM-7价格参考。Diodes Inc.DMN2100UDM-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN2100UDM-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN2100UDM-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26MOSFET 900mW 20Vdss

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.3 A

Id-连续漏极电流

3.3 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2100UDM-7-

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产品型号

DMN2100UDM-7

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

900 mW

Pd-功率耗散

900 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

55 mOhms at 4.5 V

RdsOn-漏源导通电阻

55 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

555pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

55 毫欧 @ 6A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-26

其它名称

DMN2100UDM7
DMN2100UDMDITR

功率-最大值

900mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

55 mOhms at 4.5 V

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6

封装/箱体

SOT-26-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

3.3 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.3A (Ta)

系列

DMN2100

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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