数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2100UDM-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2100UDM-7价格参考。Diodes Inc.DMN2100UDM-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN2100UDM-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN2100UDM-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26MOSFET 900mW 20Vdss |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.3 A |
Id-连续漏极电流 | 3.3 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2100UDM-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMN2100UDM-7 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 900 mW |
Pd-功率耗散 | 900 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms at 4.5 V |
RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 555pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 6A,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-26 |
其它名称 | DMN2100UDM7 |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 55 mOhms at 4.5 V |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
封装/箱体 | SOT-26-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 3.3 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A (Ta) |
系列 | DMN2100 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain |