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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2065UW-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2065UW-7价格参考。Diodes Inc.DMN2065UW-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN2065UW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN2065UW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V SOT323 T&R 3K |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2065UW-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMN2065UW-7 |
Pd-PowerDissipation | 0.7 W |
Pd-功率耗散 | 700 mW |
Qg-GateCharge | 5.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 5.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
上升时间 | 9.7 ns |
下降时间 | 7.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.4nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 56 毫欧 @ 2A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | DMN2065UW-7DIDKR |
典型关闭延迟时间 | 23.8 ns |
功率-最大值 | 430mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SOT-323-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 7 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.8A (Ta) |
系列 | DMN2065 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |