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  • 型号: DMN2041LSD-13
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2041LSD-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2041LSD-13价格参考。Diodes Inc.DMN2041LSD-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN2041LSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN2041LSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SOMOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

7.63 A

Id-连续漏极电流

7.63 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2041LSD-13-

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产品型号

DMN2041LSD-13

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

1.16 W

Pd-功率耗散

1.16 W

Qg-GateCharge

15.6 nC

Qg-栅极电荷

15.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

41 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

41 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

550pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 6A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

DMN2041LSD-13DICT

功率-最大值

1.16W

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.63A

系列

DMN2041L

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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