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  • 型号: DMN2041L-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2041L-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2041L-7价格参考。Diodes Inc.DMN2041L-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN2041L-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN2041L-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的DMN2041L-7是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于各种便携式设备和消费类电子产品的电源管理电路。例如,手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的负载开关或DC-DC转换器。

2. 负载开关:由于其低导通电阻(Rds(on)),DMN2041L-7非常适合用作负载开关,能够高效地控制电流流向不同的电路模块,同时减少功率损耗。

3. 电池保护:在电池供电设备中,该MOSFET可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流等功能,确保电池安全运行。

4. 信号切换:在需要高频信号切换的应用中,如音频放大器或数据通信接口(USB、UART等),这款MOSFET可以实现快速且低失真的信号切换。

5. 电机驱动:小型直流电机或步进电机的驱动电路中,DMN2041L-7可以用作开关元件,控制电机的启动、停止及速度调节。

6. 背光驱动:在LED背光显示应用中,作为PWM调光控制的一部分,用于调节LED亮度并保持高效率。

7. 汽车电子系统:尽管其电压范围可能不完全适用于高压汽车环境,但在某些低压辅助电路(如车内照明、传感器接口)中仍可发挥作用。

总之,DMN2041L-7凭借其小尺寸(SOT-363封装)、低导通电阻特性和较高的电流承载能力,在众多低功耗、空间受限的设计场合下表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23MOSFET MOSFET,N-CHANNEL

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.4 A

Id-连续漏极电流

6.4 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2041L-7-

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产品型号

DMN2041L-7

PCN其它

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.78 W

Pd-功率耗散

780 mW

Qg-GateCharge

15.6 nC

Qg-栅极电荷

15.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

20 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

20 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

550pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 6A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

DMN2041L-7DITR
DMN2041L7

功率-最大值

780mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

6 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.4A (Ta)

系列

DMN2041L

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